太阳膜光伏行业：HIT或成下一代光伏电池主流技术 五大环节具有投资机会

　　过去几年，P-PERC等技术变革带来的红利推动了度电成本的显著下降与行业的一轮大发展，当前，光伏产业正处在新一轮技术大发展的前夜，其中，高效电池与大硅片可能是未来几年最有希望获得突破的方向，其在众多高效电池技术路线中，HIT具有一些突出的物理特性和优势。近几年，国内外部分企业开始HIT电池的商业化尝试与推广，当前的主要矛盾是PECVD等核心装备的可用性，再之后可能是继续提高效率与耗材降本。综合产业端的现状，我们认为HIT电池产业化在加速，并且可能正在酝酿着突破。

　　摘要

　　1.光伏行业处于新一轮技术大发展的前夜。高效电池与大硅片的可能是光伏行业未来几年最有希望获得突破的重要方向。在电池片领域，N型电池是目前业内最认可的技术路线，N型电池最主要的两个方向为HIT和TOPCon，HIT由于其优势显著且降本路径比较清晰，有可能成为下一代的主流技术。

　　2.HIT具有优秀的物理特性与一定优势。HIT一般采用N型路线，具备更高效、衰减低、温度系数好、双面率高等突出优势。目前全球最高效率是日本钟渊创造的26.7％，国内最高已经可以做到25.11％。现有产线的量产效率普遍在23.5％-24％，未来效率继续提升空间较大。HIT主要劣势是造价高，目前主要应用在一些BOS成本较高的市场。按照现有BOM和BOS成本水平，1％的效率优势可以带来0.08-0.10元/瓦的溢价，随着其效率提升与成本下降，HIT应用市场会不断扩大。

　　3.产业化在加速，突破可能在酝酿中。当前，全球HIT产能约3GW，其中，REC在2019年投运了600MW商业化项目，国内一批企业也开始商业化前的尝试与导入，估算规划产能超过20GW，并且2020年Q2-3将有一批标杆项目投运。装备方面，过去两年主要装备企业在转化效率等方面获得较大进展，国内相关装备上市公司也多将HIT作为重点投入方向。设备端清洗制绒、PVD/RPD、丝网印刷都已突破，唯一的难点在于PECVD，海内外众多企业都在集中攻关以提高PECVD的节拍、稳定性、均匀性，并降低设备价格，明年可能会有较大突破。除PECVD等核心设备外，低温银浆、靶材研发也有较大的突破与进展。

　　投资建议

　　继续推荐：隆基股份、通威股份；

　　推荐：山煤国际（煤炭联合）、东方日升；

　　设备环节推荐：金辰股份、捷佳伟创（机械联合）、迈为股份（机械联合）；

　　辅材关注：苏州固锝。

　　风险提示：HIT电池成本降低进度不及预期、量产效率提升不及预期。

　　1.1 异质结电池从萌芽走向成熟

　　HIT萌芽：1989-1990年。日本三洋用非晶硅薄膜代替本征微晶硅层，做出的电池效率达到14.5％，并命名为HIT。三洋将HIT注册为商标，太阳能门户，专利保护到2015年结束。

　　HIT摸索：1991-2015年。海内外众多研究机构对HIT工艺进行优化，对不同的工艺路线进行了摸索，少量企业建立了中试线，研发效率接近25％。

　　HIT导入：2016-2019年。2015年三洋专利保护到期，大量企业进入HIT领域，建设了十几条中试线，尝试将HIT导入商业化生产，量产效率站上23％，研发站上25％。

　　中国HIT产业发展历史。

　　早期摸索：2011-2014年。上澎、赛昂、国电等企业引入进口设备进行了初步尝试。

　　中期尝试：2015-2018年。中智、汉能、晋能、钧石等企业建立中试线进行量产尝试，太阳能电池板，并摸索设备工艺和电池工艺，但碍于成本因素并未大规模量产。

　　近期突破：2019年。汉能研发效率达到25.11％，成为新的世界纪录。晋能和钧石研发效率接近25％，量产效率站上24％。靶材和银浆国产化也取得重大突破，HIT降本路径越来越清晰，性价比不断提升，布局HIT的企业从早期7家拓展到当前约20家。

　　HIT电池结构:晶硅衬底+正反面各 3 层膜。HIT电池以 N 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层TCO，再通过丝网印刷制作正负电极，导出电流。

　　HIT电池制造工序：清洗制绒>；非晶硅薄膜沉积>；TCO沉积>；制作电极>；测试分档。

　　清洗制绒：去除硅片表面杂质，制作金字塔绒面，减少阳光反射。HIT电池要求制作大绒面，制绒难度高于PERC。

　　非晶硅沉积：主要使用PECVD设备进行非晶硅薄膜沉积，薄膜厚度为纳米级，且内部结构较为复杂，半导体级工艺，技术摸索集中在这个环节。

　　TCO沉积：使用PVD或者RPD设备沉积金属氧化物导电层TCO，该工艺在平板显示领域应用较多，已经十分成熟，PVD和RPD目前还存在路线之争。